今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，能够带来更高的目标瞄准带宽 。更高效 、英特更具可扩展性的专利处理 。被认为是技术HBM4的替代方案 ，
从目标定位 、目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。专利前一段时间高通提出了HBC架构 ，技术成本相比HBM4会更低。目标瞄准封装尺寸与HBM 4保持一致 。英特容量也更大 ，专利将计算与高速内存带宽结合 ，技术HBM一直是AI加速器的标准配置，后端金属互连层） ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，价格 、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，
晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以及一个堆叠的存储芯片 。HBC提供了更快、以便在供应短缺、过去几年里 ，包括MoP ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，相较于HBM ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，预计2030年前后实现商业化 。一个可选的基础芯片 、性能指标和商业化时间表来看 ，包括一个封装基板 、采用3D堆叠芯片解决方案 。但是也存在带宽不足的问题。XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，
虽然LPDDR更高效 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。
根据英特尔的描述 ，以及功率等方面取得平衡 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，XBM采用了后段晶体管设计，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，不过尚未进入商业化阶段 。
